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光譜儀硅鋰漂移探測(cè)器
發(fā)布時(shí)間：2020-07-24 09:41:34 點(diǎn)擊：5044
光譜儀硅鋰漂移探測(cè)器是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴(kuò)散形成PN結(jié)，然后在反向電壓和適當(dāng)溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很容易吸引一個(gè)自由電子而成為施主，從而與硅中的P型（受主）雜質(zhì)實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償而形成高阻的本征層(探測(cè)器的靈敏區(qū))。
光譜儀硅鋰漂移探測(cè)器
硅(鋰)探測(cè)器的特點(diǎn)是靈敏層厚度可以做得相當(dāng)大（3-10毫米），因而探測(cè)器電容也比較小，探測(cè)效率高，但是必須在液氮冷卻下保存（因?yàn)樵谑覝叵落囯x子的遷移能力已經(jīng)不能忽略了，而鋰離子的遷移會(huì)破壞在制備硅(鋰)探測(cè)器時(shí)達(dá)到的精密補(bǔ)償。這是硅(鋰)探測(cè)器保存時(shí)候也需要在液氮溫度的根本原因。當(dāng)然還有其它原因）和工作，一般說(shuō)來(lái)其能量分辨、高計(jì)數(shù)率性能、使用方便性、體積和價(jià)格等性能都不如硅漂移探測(cè)器。
請(qǐng)注意：硅鋰漂移探測(cè)器和硅漂移探測(cè)器是兩種不同的探測(cè)器，硅鋰漂移探測(cè)器是因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程中采用了鋰離子漂移補(bǔ)償?shù)姆椒ǘ妹?，而硅漂移探測(cè)器則是射線(xiàn)產(chǎn)生的載流子（電子-空穴對(duì)）中的電子先必須漂移到陽(yáng)極區(qū)以后才能形成可以測(cè)量的電信號(hào)（硅漂移探測(cè)器中空穴對(duì)電信號(hào)沒(méi)有貢獻(xiàn)）而得名。
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